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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]双金属图案化-CN202080027600.0在审
发明人：陈学忠;徐永安;Y.米格诺特;J.凯利;L.克莱文格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：芯轴形成在基板上，芯轴包括第一金属层。在衬底上形成与第一金属层相邻的第二金属层，第一金属层和第二金属层由间隔体材料隔开。
双金属图案

[发明专利]图案化金属层的方法-CN201980078544.0在审
发明人：奥姆卡尔姆·纳兰姆苏;卢多维克·戈代;王诣斐;傅晋欣 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开内容提供图案化装置(例如，半导体装置)的金属层的方法，以在互连层中形成特征，此方法作为用于制造装置的互连结构的处理的一部分。所披露的方法说明具有改善选择性的图案化钼层的处理。
图案金属方法

[发明专利]图案化无电镀金属-CN201980050025.3在审
发明人：池田新地;迈克尔·莱利·文森 -专利权人：艾瑞科公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：本发明涉及利用催化剂或金属薄膜通过一种或多种金属的原子水平沉积(ALD)——允许细小迹线沉积至介电材料中形成的沟槽中——的方法和系统，从而最小化由于嵌入的导体形式潜在的物理损伤，并在迹线之间留出细小空间
图案电镀金属

[实用新型]金属表面图案化结构-CN200920153476.3有效
发明人：萧钦群 -专利权人：滨川企业股份有限公司
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： B44C5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种金属表面图案化结构，包含一金属基材、一阳极处理层以及一图案层。阳极处理层覆盖于金属基材的表面上，阳极处理层包含一多孔氧化膜以及一封孔层。而图案层吸附于多孔氧化膜表面的多个孔洞中。
金属表面图案结构

[发明专利]有机图案化层及使用了该有机图案化层的金属图案化方法-CN202110764840.5在审
发明人：望月俊二;桦泽直朗;富樫和法;北原秀良;筱田美香;三枝优太 -专利权人：保土谷化学工业株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及有机图案化层及使用了该有机图案化层的金属图案化方法。一种有机图案化层，配置于有机半导体元件中的透明电极的外侧，其特征在于，构成所述有机图案化层的有机化合物具有以下的特性；a.制膜时的相对于1μL纯水的静态接触角(温湿度：23℃、50％)为85°以上；b.玻璃化转变温度(Tg)为100℃以下；c.分子量为1000以下的低分子。一种金属图案化方法，其特征在于，将所述有机图案化层配置于有机半导体元件中的透明电极的外侧，并且在非透光部的布线区域选择性地形成金属膜。
有机图案使用金属方法

[实用新型]薄膜晶体管液晶面板抑制静电破坏的金属图案化结构-CN200920137796.X有效
发明人：任祖德;许汉东 -专利权人：福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄膜晶体管液晶面板抑制静电破坏的金属图案化结构，其特征在于：包括一图案化放电金属体；一图案化金属片系相对设置于该图案化放电金属体；及至少一图案化金属块设置于图案化放电金属体与图案化金属片之间，并连接于图案化金属片。本实用新型能抑制图案化放电金属体及图案化金属片的静电破坏，以避免显示画面的异常，如亮线的现象。
薄膜晶体管液晶面板抑制静电破坏金属图案结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201310151756.1有效
发明人：黄冠杰;庄东霖 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构，包括一永久基板、一第一图案化金属层、一第二图案化金属层以及一半导体磊晶层。永久基板具有一接合面。第一图案化金属层配置在永久基板的接合面上且暴露出部分接合面。第二图案化金属层对应配置在第一图案化金属层上。第二图案化金属层暴露出第一图案化金属层所暴露出的接合面。第二图案化金属层与第一图案化金属层的接触面形成共晶结合。半导体磊晶层配置在第二图案化金属层上。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201711217086.3有效
发明人：黄冠杰;庄东霖 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构，包括一永久基板、一第一图案化金属层、一第二图案化金属层以及一半导体磊晶层。永久基板具有一接合面。第一图案化金属层配置在永久基板的接合面上且暴露出部分接合面。第二图案化金属层对应配置在第一图案化金属层上。第二图案化金属层暴露出第一图案化金属层所暴露出的接合面。第二图案化金属层与第一图案化金属层的接触面形成共晶结合。半导体磊晶层配置在第二图案化金属层上。
发光二极管结构

[发明专利]像素结构及其制作方法-CN201210067737.6有效
发明人：高逸群;邱皓麟;林俊男 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该制作方法包括，首先，在基板上形成第一图案化金属层，包括扫描线以及栅极。再于第一图案化金属层上依序形成第一绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡图案以及金属层。接着，图案化此金属层和半导体层以形成第二图案化金属层和图案化半导体层。第二图案化金属层包括数据线、源极与漏极。图案化半导体层包括完全重叠于第二图案化金属层的第一半导体图案以及不重叠于第二图案化金属层的第二半导体图案，其中第二半导体图案包括位于源极与漏极之间的通道图案以及包围第一半导体图案的边缘图案。
像素结构及其制作方法

[发明专利]形成图案化金属层的方法-CN201911295971.2在审
发明人：陈志刚 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成图案化金属层的方法，包括：提供基板，并在基板上依次形成有机涂层和光刻胶层；图形化光刻胶层；刻蚀有机涂层，使有机涂层相对于光刻胶层形成底切结构；沉积金属材料；去除有机涂层、光刻胶层以及光刻胶层上方的金属材料，形成图案化的金属层。上述形成图案化金属层的方法通过在基板上先形成有机涂层再形成光刻胶层，刻蚀有机涂层使有机涂层相对于光刻胶层形成底切结构，也即有机涂层和光刻胶层之间形成台阶，进而在沉积金属层时由于光刻胶层和有机涂层之间不连续，金属层无法在底切结构底部形成，便于去除光刻胶层上的金属材料，且通过控制对有机涂层的刻蚀过程便于控制金属剥离工艺的窗口大小。
形成图案金属方法

[发明专利]在衬底上图案化金属特征-CN202211483795.7在审
发明人： S·艾哈迈德;G·赫特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本文描述的实施例可以涉及与图案化和金属化有关的装置、工艺和技术，以在衬底上产生具有小于26nm间距的金属特征。可以描述和/或要求保护其他实施例。
衬底图案金属特征

[发明专利]一种金属图案化方法-CN201910627876.1有效
发明人：于洋 -专利权人：北京梦之墨科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属图案化方法，涉及减材制造技术领域。其中，该金属图案化方法，包括：在金属表面上形成蚀刻掩模；将液态金属涂覆至所述金属表面未被所述蚀刻掩模所覆盖的区域，使液态金属对该区域内的金属进行腐蚀，在未被所述蚀刻掩模所覆盖的区域形成两者的合金反应物；通过施加蚀刻液消除在未被所述蚀刻掩模所覆盖的区域上形成的合金反应物，得到与所述蚀刻掩模的形状一致的金属图案。本发明通过利用化学性质活跃的液态金属首先对金属待蚀刻的区域进行腐蚀，降低该区域金属在整个金属上的一致性，使该区域内的金属更易与蚀刻液进行反应，从而提高化学蚀刻效率。
一种金属图案方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法-CN202010050465.3在审
发明人：陈梦 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制造方法，阵列基板的图案化金属构件包括依次层叠设置于基板上的图案化第一金属层、图案化第二金属层以及图案化铜层，蚀刻液蚀刻第二金属层的速率小于蚀刻液蚀刻第一金属层的速率，图案化第二金属层和图案化第一金属层的结构，可以避免蚀刻第二金属层出现金属残留的问题的同时，可以避免图案化第二金属层被腐蚀而导致铜掏空问题，且图案化第一金属层与基板的附着力大于图案化铜层与基板的附着力，提高图案化金属构件在基板上的附着力的同时，
阵列及其制造方法

[发明专利]电容阵列结构-CN201710437255.8有效
发明人：篮子为;方伟宪;庄志禹 -专利权人：扬智科技股份有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：电容单元其中之一包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层。第一金属层包括下电极的第一图案化金属部。第二金属层配置于第一金属层上，且包括下电极的第二图案化金属部以及上电极的第一图案化金属部。第三金属层配置于第二金属层上，且包括下电极的第三图案化金属部、下电极的第四图案化金属部以及上电极的第二图案化金属部。下电极的第二图案金属部具有开口，上电极的第一图案化金属部的一侧暴露在开口，使上电极的第一图案化金属部的所述一侧相邻于另一个电容单元的下电极。
电容阵列结构

[发明专利]电子元件载板的制作方法-CN200810125463.5无效
发明人：吴建男;杨耿忠 -专利权人：旭德科技股份有限公司
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：形成第一图案化金属层在基材的第一面。形成第一图案化防焊层在基材的第一面及第一图案化金属层上，其中第一图案化防焊层暴露出部分第一图案化金属层。形成至少一贯孔穿过基材及第一图案化金属层。形成第二金属层在基材的相对于第一面的第二面上。形成第二图案化防焊层在第二金属层上，其中第二图案化防焊层暴露出部分第二金属层。以第二图案化防焊层为掩模，蚀刻部分第二金属层，以形成第二图案化金属层。
电子元件制作方法

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